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13所標(biāo)準(zhǔn)化動態(tài)

來源:質(zhì)量處     作者:花吉珍     發(fā)布時間:2020年04月28日     瀏覽次數(shù):         

中國電子科技集團公司第十三研究所標(biāo)準(zhǔn)化工作動態(tài)

1、國際標(biāo)準(zhǔn)化

113所聯(lián)合牽頭提出的3IEC國際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布。2020114日國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會官網(wǎng)發(fā)布了“關(guān)于公開2019年度我國牽頭及聯(lián)合牽頭制定國際電工委員會(IEC)國際標(biāo)準(zhǔn)情況的通知”,中國電科13所作為聯(lián)合牽頭單位提出并參與制定的下列3項國際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布實施:

   1IEC 62047-32:2019半導(dǎo)體器件 微電子機械器件 32部分:MEMS諧振器的非線性振動測試方法

2IEC 62047-33:2019半導(dǎo)體器件 微電子機械器件 33部分:MEMS壓阻式壓力敏感器件

3IEC 62047-34:2019半導(dǎo)體器件 微電子機械器件 34部分:MEMS壓阻式壓力敏感器件圓片級試驗方法

3項標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布,是繼我國于2016年在MEMS器件領(lǐng)域首次牽頭提出制定的1項標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后的又一次重大突破,及時將MEMS器件測試方法的研究成果制定為國際標(biāo)準(zhǔn),體現(xiàn)了我國在MEMS領(lǐng)域的技術(shù)實力。

2)牽頭提出的4IEC國際標(biāo)準(zhǔn)進展順利。

  經(jīng)過20196月在蘇州召開的工作組會議和10月上海IEC大會的推進, 又有3項新提案成功立項,國際標(biāo)準(zhǔn)在研項目總數(shù)達到4項。IEC 63229  半導(dǎo)體器件 碳化硅襯底氮化鎵外延膜缺陷分類已進入CDV階段,IEC中央辦公室正在進行法文翻譯,計劃5月初分發(fā)。IEC 60747-16-7 半導(dǎo)體器件 16-7部分:微波集成電路 衰減器、IEC 60747-16-8 半導(dǎo)體器件 16-8部分:微波集成電路 限幅器和IEC 62047-41半導(dǎo)體器件 微電子機械器件 41部分:RF MEMS環(huán)行器和隔離器三項提案處于CD階段,委員會草案(CD)均已分發(fā),正在征求各國意見,5月底前完成,準(zhǔn)備在6月召開的工作組會議上討論。

這四項國際標(biāo)準(zhǔn)是我所牽頭提出的首批提案,開啟了我所主持制定國際標(biāo)準(zhǔn)的新篇章,體現(xiàn)了我國在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的技術(shù)實力,掌握了相關(guān)領(lǐng)域的話語權(quán),為后續(xù)國際標(biāo)準(zhǔn)的制定奠定了基礎(chǔ)。

2、國家標(biāo)準(zhǔn)制定

  • 113所主持編制的三項國家標(biāo)準(zhǔn)提前完成報批

2020313所主持編制的三項國家標(biāo)準(zhǔn)《電子元器件 半導(dǎo)體器件長期貯存 第2部分:失效機理電子元器件(計劃號20182267-T-339)、《半導(dǎo)體器件長期貯存第5部分:芯片和晶圓》(計劃號20182266-T-339)、《微波集成電路 檢波器測試方法(計劃號20182277-T-339)提前一年完成報批。電子元器件 半導(dǎo)體器件長期貯存 第2部分:失效機理電子元器件和《半導(dǎo)體器件長期貯存第5部分:芯片和晶圓》為等同采用IEC標(biāo)準(zhǔn),是電子元器件 半導(dǎo)體器件長期貯存系列標(biāo)準(zhǔn),通過該系列標(biāo)準(zhǔn)的制定,可確定電子元器件長期貯存需要的環(huán)境條件和可能導(dǎo)致的失效模式,評價長期貯存電子元器件的可靠性,對電子元器件的研究、生產(chǎn)、包裝、檢驗和使用具有重要意義,同時補充完善電子元器件標(biāo)準(zhǔn)體系,為電子元器件行業(yè)的發(fā)展起到指導(dǎo)作用。

2)國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會下達推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)制修訂項目計劃,由13所主持6項國家標(biāo)準(zhǔn)制修訂項目。根據(jù)國標(biāo)委發(fā)【20206號《關(guān)于下達2020年推薦性國際標(biāo)準(zhǔn)計劃(修訂)的通知》和國標(biāo)委發(fā)【202014號《關(guān)于下達2020年第一批推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)制修訂計劃的通知》,由13所主持GB/T 20230-2006《磷化銦單晶》和GB/T 4587-1994 《半導(dǎo)體器件 7部分:雙極型晶體管》2項國家標(biāo)準(zhǔn)的修訂任務(wù),以及《半導(dǎo)體器件 機械和氣候試驗方法 42部分:溫濕度貯存》、《半導(dǎo)體器件錫和錫合金表面涂覆的錫須影響的環(huán)境接收要求》、《半導(dǎo)體器件 機械和氣候試驗方法 16部分:粒子碰撞噪聲檢測(PIND)》和《半導(dǎo)體器件 16-5部分:微波集成電路 振蕩器》4項國家標(biāo)準(zhǔn)采標(biāo)項目。13所將充分調(diào)研和征求領(lǐng)域內(nèi)相關(guān)單位的意見,組織完成好上述標(biāo)準(zhǔn)的制修訂任務(wù),發(fā)揮好行業(yè)骨干單位的作用,體現(xiàn)國企的責(zé)任和擔(dān)當(dāng)。

中國電子科技集團公司第十三研究所標(biāo)準(zhǔn)化工作動態(tài)

1、國際標(biāo)準(zhǔn)化

113所聯(lián)合牽頭提出的3IEC國際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布。2020114日國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會官網(wǎng)發(fā)布了“關(guān)于公開2019年度我國牽頭及聯(lián)合牽頭制定國際電工委員會(IEC)國際標(biāo)準(zhǔn)情況的通知”,中國電科13所作為聯(lián)合牽頭單位提出并參與制定的下列3項國際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布實施:

   1IEC 62047-32:2019半導(dǎo)體器件 微電子機械器件 32部分:MEMS諧振器的非線性振動測試方法

2IEC 62047-33:2019半導(dǎo)體器件 微電子機械器件 33部分:MEMS壓阻式壓力敏感器件

3IEC 62047-34:2019半導(dǎo)體器件 微電子機械器件 34部分:MEMS壓阻式壓力敏感器件圓片級試驗方法

3項標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布,是繼我國于2016年在MEMS器件領(lǐng)域首次牽頭提出制定的1項標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后的又一次重大突破,及時將MEMS器件測試方法的研究成果制定為國際標(biāo)準(zhǔn),體現(xiàn)了我國在MEMS領(lǐng)域的技術(shù)實力。

2)牽頭提出的4IEC國際標(biāo)準(zhǔn)進展順利。

  經(jīng)過20196月在蘇州召開的工作組會議和10月上海IEC大會的推進, 又有3項新提案成功立項,國際標(biāo)準(zhǔn)在研項目總數(shù)達到4項。IEC 63229  半導(dǎo)體器件 碳化硅襯底氮化鎵外延膜缺陷分類已進入CDV階段,IEC中央辦公室正在進行法文翻譯,計劃5月初分發(fā)。IEC 60747-16-7 半導(dǎo)體器件 16-7部分:微波集成電路 衰減器、IEC 60747-16-8 半導(dǎo)體器件 16-8部分:微波集成電路 限幅器和IEC 62047-41半導(dǎo)體器件 微電子機械器件 41部分:RF MEMS環(huán)行器和隔離器三項提案處于CD階段,委員會草案(CD)均已分發(fā),正在征求各國意見,5月底前完成,準(zhǔn)備在6月召開的工作組會議上討論。

這四項國際標(biāo)準(zhǔn)是我所牽頭提出的首批提案,開啟了我所主持制定國際標(biāo)準(zhǔn)的新篇章,體現(xiàn)了我國在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的技術(shù)實力,掌握了相關(guān)領(lǐng)域的話語權(quán),為后續(xù)國際標(biāo)準(zhǔn)的制定奠定了基礎(chǔ)。

2、國家標(biāo)準(zhǔn)制定

  • 113所主持編制的三項國家標(biāo)準(zhǔn)提前完成報批

2020313所主持編制的三項國家標(biāo)準(zhǔn)《電子元器件 半導(dǎo)體器件長期貯存 第2部分:失效機理電子元器件(計劃號20182267-T-339)、《半導(dǎo)體器件長期貯存第5部分:芯片和晶圓》(計劃號20182266-T-339)、《微波集成電路 檢波器測試方法(計劃號20182277-T-339)提前一年完成報批。電子元器件 半導(dǎo)體器件長期貯存 第2部分:失效機理電子元器件和《半導(dǎo)體器件長期貯存第5部分:芯片和晶圓》為等同采用IEC標(biāo)準(zhǔn),是電子元器件 半導(dǎo)體器件長期貯存系列標(biāo)準(zhǔn),通過該系列標(biāo)準(zhǔn)的制定,可確定電子元器件長期貯存需要的環(huán)境條件和可能導(dǎo)致的失效模式,評價長期貯存電子元器件的可靠性,對電子元器件的研究、生產(chǎn)、包裝、檢驗和使用具有重要意義,同時補充完善電子元器件標(biāo)準(zhǔn)體系,為電子元器件行業(yè)的發(fā)展起到指導(dǎo)作用。

2)國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會下達推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)制修訂項目計劃,由13所主持6項國家標(biāo)準(zhǔn)制修訂項目。根據(jù)國標(biāo)委發(fā)【20206號《關(guān)于下達2020年推薦性國際標(biāo)準(zhǔn)計劃(修訂)的通知》和國標(biāo)委發(fā)【202014號《關(guān)于下達2020年第一批推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)制修訂計劃的通知》,由13所主持GB/T 20230-2006《磷化銦單晶》和GB/T 4587-1994 《半導(dǎo)體器件 7部分:雙極型晶體管》2項國家標(biāo)準(zhǔn)的修訂任務(wù),以及《半導(dǎo)體器件 機械和氣候試驗方法 42部分:溫濕度貯存》、《半導(dǎo)體器件錫和錫合金表面涂覆的錫須影響的環(huán)境接收要求》、《半導(dǎo)體器件 機械和氣候試驗方法 16部分:粒子碰撞噪聲檢測(PIND)》和《半導(dǎo)體器件 16-5部分:微波集成電路 振蕩器》4項國家標(biāo)準(zhǔn)采標(biāo)項目。13所將充分調(diào)研和征求領(lǐng)域內(nèi)相關(guān)單位的意見,組織完成好上述標(biāo)準(zhǔn)的制修訂任務(wù),發(fā)揮好行業(yè)骨干單位的作用,體現(xiàn)國企的責(zé)任和擔(dān)當(dāng)。